تبادل لینک هوشمند کسب و کار تولید نیمه‌هادی سامسونگ در چند سال اخیر رشد قابل توجهی به خود دیده است. غول فناوری کره‌ی جنوبی موفق شد در سه‌ماهه‌ی دوم سال جاری، به پادشاهی ۲۴ ساله‌ی اینتل در این حوزه پایان دهد و سود بیشتری در این حوزه نصیب خود کند.
مؤسسه‌ی تحقیقاتی IC Insights در همین راستا پیش‌بینی کرده است که سامسونگ به‌طور کلی و در سال ۲۰۱۷ و با درآمد ۴.۶ میلیارد دلار، موفق به عبور از اینتل در حوزه‌ی درآمدزایی صنعت نیمه‌هادی شود. بر اساس گزارشات این مؤسسه، عملکرد عالی سامسونگ در سه‌ماهه‌ی دوم اتفاقی نیست و این شرکت مطرح فناوری در ادامه‌ی سال نیز روند روبه‌رشد خود را طی خواهد کرد.
اینتل طی ۲۴ سال گذشته و از سال ۱۹۹۳ با بیشترین میزان درآمد در تولید نیمه‌هادی، خود را به‌عنوان بزرگ‌ترین شرکت فعال این حوزه معرفی کرده است. با این حال و با ایجاد بازار جدید و سودده گوشی هوشمند، حتی افزایش سود ۴۰ درصدی اینتل نسبت به مدت مشابه سال گذشته نیز به این شرکت برای باقی ماندن در صدر بزرگ‌ترین تولید‌کننده‌های نیمه‌هادی کمکی نکرد.
پیش‌بینی می‌شود تا انتهای سال ۲۰۱۷ سامسونگ با اختلاف ۴.۶ میلیارد دلاری نسبت به اینتل در صدر قرار بگیرد. فعالیت گسترده‌ی سامسونگ در تولید حافظه‌های NAND و DRAM کمک بزرگی به این شرکت در پیشرفت آن کرده است.
طبق پیش‌بینی مؤسسه‌ی IC Insights، سامسونگ تا انتهای سال ۲۰۱۷، ۱۵ درصد از بازار نیمه‌هادی را به خود اختصاص خواهد داد. این در حالی است که اینتل برای اولین بار با نزول به رتبه‌ی دوم، تنها ۱۳.۹ درصد از بازار نیمه‌هادی را در اختیار خواهد داشت.
بزرگ‌ترین تولید‌کننده‌ی گوشی هوشمند در نظر دارد با افزایش حجم تولید خود، جایگاه بزرگ‌ترین تولید‌کننده‌ی نیمه‌هادی جهان را نیز برای خود حفظ کند.
در ادامه می‌توانید میزان فروش و درصد بازار در اختیار هر یک از بزرگ‌ترین شرکت‌های نیمه‌هادی جهان را مشاهده کنید.
| 2017 | 2006 | 2000 | 1993 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Share% | Sale ($B) | Company | Share % | Sale ($B) | Company | Share % | Sale ($B) | Company | Share % | Sale ($B) | Company |
| 15 | 65.6 | Samsung | 11.8 | 31.6 | Intel | 13.6 | 29.7 | Intel | 9.2 | 7.6 | Intel |
| 13.9 | 61 | Intel | 7.3 | 19.7 | Samsung | 5 | 11 | Toshiba | 8.6 | 7.1 | NEC |
| 6 | 26.2 | SK Hynix | 5.1 | 13.7 | TI | 5 | 10.9 | NEC | 7.6 | 6.3 | Toshiba |
| 5.3 | 23.4 | Micron | 3.7 | 10 | Toshiba | 4.8 | 10.6 | Samsung | 7 | 5.8 | Motorola |
| 4 | 17.6 | Broadcom | 3.7 | 9.9 | ST | 4.4 | 9.6 | TI | 6.3 | 5.2 | Hitachi |
| 3.9 | 17.1 | Qualcomm | 3.1 | 8.2 | Renesas | 3.6 | 7.9 | Motorola | 4.8 | 4 | TI |
| 3.2 | 13.9 | TI | 2.8 | 7.4 | Hynix | 3.6 | 7.9 | ST | 3.8 | 3.1 | Samsung |
| 3.1 | 13.5 | Toshiba | 2.3 | 6.1 | Freescale | 3.4 | 7.4 | Hitachi | 3.6 | 3 | Mitsubishi |
| 2.1 | 9.2 | Nvidia | 2.2 | 5.9 | NXP | 3.1 | 6.8 | Infineon | 3.5 | 2.9 | Fujitsu |
| 2.1 | 9.2 | NXP | 2.1 | 5.7 | NEC | 2.9 | 6.3 | Phillips | 2.8 | 2.3 | Matsushita |
.: Weblog Themes By Pichak :.